КТ856В транзистор биполярный

Технические характеристики ГТ109Б транзистор биполярный низкочастотный маломощный p-n-p структуры, германиевый Корпус металлостеклянный Предельное напряжение Uкэ 6 В Постоянное напряжение Uбэ 10В Напряжение насыщение 0,5 В Максимальное напряжение  10 В Импульсное напряжение Uкб  16 В Обратный ток Uко                 5 мкА Коллекторный ток Iк 20 мА Мощность на коллекторе 30 мВт Коэффициент усиления h21Э до 80 Ёмкость перехода          СЭ 30 пф Граничная частота             fгр 1 Мгц

ГТ402А транзистор биполярный

Технические характеристики КТ301Ж транзистор биполярный кремниевый генераторный n-p-n структуры переключательный корпус пластмассовый КТЮ-3-1 Метка на корпусе     тёмно-зелёная Напряжение база-коллектор                30 В Напряжение Uкэ                                     30 В Напряжение Uэб                                     3 В Ток Iкб0                                                      5 мкА Постоянный ток коллектора                  10 мА Обратный ток коллектора                      10 мкА Ток коллектора импульсный                20 мА Ток эмиттера                                              25 мА Мощность коллектора                           150 мВт Частота                                                       30 МГц Коэффициент передачи             h21э   80-300 Ёмкость                                                           10 пф

КТ940Б транзистор биполярный